Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.
Pengembangan NAND G11 Menandai Kemajuan Teknologi Penyimpanan Data
Produsen memori asal Amerika Serikat tersebut mengungkapkan peta jalan teknologi penyimpanan melalui pengembangan memori flash G11. Arsitektur penyimpanan tersebut ditargetkan memiliki susunan melebihi 400 lapisan untuk memperbesar kepadatan data dalam area semikonduktor tertentu. Melalui penjelasan teknologinya, Micron menyoroti kemajuan arsitektur memori flash untuk menjawab kebutuhan komputasi modern. Langkah tersebut menjadi bagian dari persaingan industri semikonduktor yang semakin membutuhkan performa tinggi.
Langkah strategis yang menonjol adalah pengembangan G11 sebagai penerus teknologi G9. Arsitektur memori flash G9 menggunakan susunan vertikal sebanyak 276 lapisan, sedangkan G11 menargetkan peningkatan yang jauh lebih besar. Menurut pemaparan perusahaan, arah pengembangan G11 disesuaikan dengan perkembangan infrastruktur komputasi AI. Walaupun menawarkan kemajuan menarik, G11 masih berada dalam tahapan pengembangan menuju produksi. Dengan demikian, parameter teknologi yang diperkenalkan sebaiknya dipahami sebagai target pengembangan.
Peningkatan Struktur Memori Micron Mengoptimalkan Kapasitas SSD
Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kemampuan menempatkan sekitar dua kali lebih banyak bit per satuan luas. Dalam rancangan generasi terbaru, kepadatan NAND G11 diperkirakan mencapai kurang lebih 42 gigabit per milimeter persegi. Kemajuan kepadatan ini membuka peluang penambahan kapasitas tanpa harus memperbesar area chip secara sebanding. Untuk pengembangan media penyimpanan, densitas penyimpanan yang meningkat dapat memberikan fleksibilitas dalam merancang SSD. Meski demikian, ukuran penyimpanan produk komersial juga dipengaruhi rancangan keseluruhan media penyimpanan.
Di samping menghadirkan struktur lebih padat, Micron juga mengembangkan kemampuan transfer data lebih cepat. Jika dibandingkan generasi sebelumnya, G11 menawarkan target peningkatan I/O sebesar 50 persen. Peningkatan tersebut berpotensi meningkatkan kemampuan komunikasi chip penyimpanan. Kendati peningkatan I/O cukup signifikan, performa antarmuka memori berbeda dari kecepatan produk SSD. Elemen perangkat seperti antarmuka PCIe, jumlah chip yang bekerja paralel tetap mempengaruhi performa akhir.
Arsitektur Wafer Bonding Mendukung Penyimpanan Generasi Berikutnya
Dalam mendukung rancangan generasi baru, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Metode fabrikasi tersebut memungkinkan susunan sel memori dan rangkaian periferal dibuat secara terpisah. Setelah masing-masing komponen selesai diproduksi, wafer disejajarkan dan disatukan melalui proses bonding. Pendekatan tersebut memungkinkan pemilihan proses manufaktur yang lebih sesuai. Dengan demikian, struktur penyimpanan bisa dioptimalkan untuk kapasitas, sementara rangkaian periferal dikembangkan untuk kinerja.
Meski menawarkan keuntungan teknis, wafer-on-wafer bonding juga memerlukan pengendalian proses fabrikasi yang presisi. Gangguan selama tahapan bonding dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Oleh sebab itu, kesiapan manufaktur berkapasitas besar menjadi salah satu penentu penerapan teknologi baru. Dalam pemaparan teknologinya, Micron menjelaskan bahwa, penggunaan wafer bonding pada G11 dilakukan ketika keuntungan performa dan biaya dipandang relevan. Hal ini memperlihatkan bahwa inovasi memori flash generasi baru tidak hanya bergantung pada jumlah lapisan, tetapi juga membutuhkan penyempurnaan arsitektur chip.
Micron Menargetkan Pengurangan Konsumsi Energi Transfer Data
Tidak terbatas pada pengembangan performa, efisiensi energi menjadi fokus penting dalam pengembangan memori flash generasi kesebelas. Berdasarkan sasaran pengembangan, pengurangan konsumsi energi per bit yang ditransfer di atas 25 persen dibandingkan arsitektur penyimpanan sebelumnya. Peningkatan tersebut berpotensi memberikan manfaat bagi pusat data yang memindahkan informasi dalam jumlah besar. Dalam lingkungan server yang padat, pengurangan daya pada jalur transfer dapat mendukung pengelolaan konsumsi listrik. Namun, target tersebut berkaitan dengan energi transfer per bit, bukan jaminan penghematan listrik perangkat secara keseluruhan.
Dalam penggunaan sehari-hari, peningkatan penggunaan daya pada chip penyimpanan juga berpeluang membantu optimalisasi perangkat. Perangkat penyimpanan yang lebih hemat daya mungkin mendukung efisiensi penggunaan energi ketika menangani beban kerja berkelanjutan. Walaupun demikian, masa pakai baterai laptop tetap bergantung pada desain keseluruhan perangkat. Controller SSD, pengaturan operasi dan manajemen energi juga memiliki peran penting pada performa perangkat. Oleh sebab itu, pengujian produk komersial tetap diperlukan sebelum peningkatan daya dapat dibandingkan secara akurat.
NAND G11 Dipersiapkan untuk SSD dan Kebutuhan Kecerdasan Buatan
Meningkatnya penggunaan kecerdasan buatan meningkatkan permintaan terhadap media penyimpanan cepat. Sistem AI modern sering memproses informasi dengan volume tinggi untuk pelatihan model maupun proses inferensi. Dalam lingkungan tersebut, NAND G11 berpotensi mendukung SSD berkapasitas besar. Struktur NAND dengan densitas tinggi dapat memberikan fleksibilitas desain produk. Sementara itu, pengembangan kecepatan komunikasi NAND memberikan ruang optimalisasi perangkat penyimpanan, terutama apabila dikombinasikan dengan pengendali yang sesuai.
Perusahaan turut memperkenalkan rancangan penyimpanan yang dioptimalkan untuk kecerdasan buatan. Di antara gagasan yang disampaikan adalah SSD dengan kemampuan operasi input dan output lebih besar melalui pengaturan akses data dengan granularitas lebih rendah. Konsep tambahan yang dipertimbangkan berfokus pada optimalisasi laju pertukaran informasi. Variasi permintaan sistem AI membuat pengembangan storage semakin beragam. Walaupun teknologi G11 memiliki potensi, SSD berbasis NAND tidak otomatis menggantikan HBM atau DRAM. Masing-masing teknologi memiliki fungsi tersendiri dalam arsitektur komputasi, sehingga perancangan sistem menyeluruh tetap diperlukan untuk memperoleh kinerja optimal.
Micron Membuka Peluang Baru Penyimpanan Berkapasitas Tinggi
Rencana teknologi memori flash G11 memperlihatkan arah perkembangan menarik dalam pengembangan media penyimpanan digital. Dengan struktur lebih dari 400 lapisan, teknologi tersebut menargetkan kepadatan bit dua kali lebih besar dibandingkan generasi G9. Peningkatan kecepatan I/O hingga 1,5 kali lipat serta peningkatan efisiensi pemindahan informasi memberikan gambaran kemampuan generasi baru. Perusahaan merencanakan perluasan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga kinerja produk akhirnya belum dapat dipastikan. Bagi pelaku pengembangan pusat data, inovasi ini memberikan gambaran masa depan SSD. Menurut Anda, apakah efisiensi energi media penyimpanan akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada beberapa tahun mendatang?
