Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.
Inovasi Memori Flash Micron Membuka Babak Baru Industri SSD
Perusahaan semikonduktor Micron memaparkan peta jalan teknologi penyimpanan melalui pengenalan NAND G11. Teknologi ini dikembangkan dengan struktur vertikal di atas 400 lapisan untuk mengoptimalkan jumlah informasi yang disimpan dalam ukuran chip yang terbatas. Dalam presentasi perusahaan, Micron menyoroti kemajuan arsitektur memori flash untuk mengantisipasi peningkatan permintaan penyimpanan digital. Pendekatan teknologi tersebut menjadi bagian dari persaingan industri semikonduktor yang mengutamakan efisiensi daya dan kinerja.
Salah satu keputusan menarik adalah peralihan langsung dari NAND G9 ke G11. Generasi G9 menggunakan struktur memori dengan 276 tingkatan, sedangkan G11 menghadirkan rancangan dengan jumlah lapisan lebih tinggi. Menurut pemaparan perusahaan, arah pengembangan G11 disesuaikan dengan perkembangan infrastruktur komputasi AI. Meskipun demikian, G11 masih memerlukan proses penyempurnaan sebelum dipasarkan. Oleh sebab itu, angka performa yang diumumkan sebaiknya dilihat sebagai proyeksi kemampuan generasi baru.
Peningkatan Struktur Memori Micron Mengoptimalkan Kapasitas SSD
Target penting dalam pengembangan NAND G11 adalah kepadatan bit sekitar dua kali lipat dibandingkan G9. Menurut target Micron, kepadatan NAND G11 diproyeksikan mencapai sekitar 42 Gb per milimeter persegi. Kemajuan kepadatan ini mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa harus memperbesar area chip secara sebanding. Untuk pengembangan media penyimpanan, kepadatan bit yang lebih tinggi dapat mempermudah pengembangan perangkat penyimpanan padat. Namun, ukuran penyimpanan produk komersial juga dipengaruhi rancangan keseluruhan media penyimpanan.
Tidak hanya memperbesar kemampuan penyimpanan, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Terhadap teknologi NAND generasi kesembilan, G11 diproyeksikan mencapai kecepatan I/O hingga 1,5 kali lipat. Peningkatan tersebut berpotensi membantu memperbesar laju pemindahan informasi internal. Kendati peningkatan I/O cukup signifikan, kemampuan chip flash tidak otomatis menentukan hasil benchmark SSD. Komponen seperti controller dan firmware, jumlah chip yang bekerja paralel tetap menentukan hasil penggunaan dalam berbagai pekerjaan.
Arsitektur Wafer Bonding Mendukung Penyimpanan Generasi Berikutnya
Untuk mencapai peningkatan tersebut, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Metode fabrikasi tersebut memungkinkan susunan sel memori dan rangkaian periferal dibuat secara terpisah. Ketika kedua bagian telah melalui proses fabrikasi, wafer disejajarkan dan disatukan melalui proses bonding. Metode fabrikasi tersebut membantu pengembangan rangkaian penyimpanan dan pengendali secara terpisah. Dengan demikian, array NAND dapat dirancang untuk meningkatkan densitas, sementara bagian logika dioptimalkan sesuai kebutuhan operasional.
Kendati pendekatan tersebut menjanjikan, wafer-on-wafer bonding juga memerlukan pengendalian proses fabrikasi yang presisi. Gangguan selama tahapan bonding dapat menurunkan jumlah chip yang memenuhi spesifikasi. Karena alasan tersebut, keberhasilan produksi massal menjadi faktor penting dalam pengembangan G11. Menurut rencana yang dipublikasikan perusahaan, penggunaan wafer bonding pada G11 dilakukan ketika teknologi tersebut dinilai memberikan manfaat yang sesuai. Hal ini memperlihatkan bahwa inovasi memori flash generasi baru tidak hanya bergantung pada jumlah lapisan, tetapi juga mengandalkan efisiensi teknologi fabrikasi.
Micron Menargetkan Pengurangan Konsumsi Energi Transfer Data
Tidak terbatas pada pengembangan performa, efisiensi energi menjadi fokus penting dalam perancangan NAND G11. Perusahaan menargetkan, penurunan energi transfer per bit lebih dari 25 persen dibandingkan NAND generasi kesembilan. Target efisiensi ini berpotensi memberikan manfaat bagi pusat data yang memindahkan informasi dalam jumlah besar. Pada fasilitas berskala besar, penghematan energi pada komponen dapat mendukung pengelolaan konsumsi listrik. Meski demikian, target tersebut menjelaskan konsumsi energi selama transfer data, bukan pengurangan total daya SSD dengan persentase sama.
Untuk perangkat komputasi konsumen, peningkatan penggunaan daya pada chip penyimpanan juga dapat memberikan manfaat potensial. Perangkat penyimpanan yang lebih hemat daya mungkin mendukung efisiensi penggunaan energi ketika menjalankan proses pemindahan file. Walaupun demikian, masa pakai baterai laptop tetap ditentukan oleh sejumlah faktor tambahan. Controller SSD, firmware dan konfigurasi daya juga menentukan hasil penggunaan nyata. Karena itu, hasil benchmark perangkat nyata masih dibutuhkan sebelum keuntungan penggunaan benar-benar diketahui.
NAND G11 Dipersiapkan untuk SSD dan Kebutuhan Kecerdasan Buatan
Meningkatnya penggunaan kecerdasan buatan mendorong kebutuhan penyimpanan lebih besar. Infrastruktur kecerdasan buatan sering memproses informasi dengan volume tinggi untuk pelatihan model maupun pengolahan permintaan pengguna. Pada infrastruktur seperti ini, NAND G11 berpotensi mendukung SSD berkapasitas besar. Struktur NAND dengan densitas tinggi dapat mendukung pengembangan sistem penyimpanan padat. Sebagai pelengkap, peningkatan antarmuka I/O dapat mendukung rancangan SSD generasi berikutnya, terutama apabila diintegrasikan dengan teknologi antarmuka modern.
Perusahaan turut memperkenalkan strategi produk storage bagi pusat data AI. Salah satu pendekatan pengembangannya adalah penyimpanan berorientasi IOPS tinggi melalui ukuran blok data yang lebih kecil. Pendekatan lainnya berfokus pada peningkatan bandwidth penyimpanan. Perbedaan karakteristik beban kerja ini menunjukkan pentingnya desain yang sesuai. Namun, SSD berbasis NAND tidak otomatis menggantikan HBM atau DRAM. Berbagai lapisan penyimpanan dan memori memiliki fungsi tersendiri dalam arsitektur komputasi, sehingga integrasi yang tepat tetap diperlukan untuk memperoleh kinerja optimal.
Micron Membuka Peluang Baru Penyimpanan Berkapasitas Tinggi
Pengenalan NAND generasi kesebelas Micron memperlihatkan arah perkembangan menarik dalam pengembangan media penyimpanan digital. Melalui rancangan NAND yang melampaui 400 lapisan, teknologi tersebut dirancang menghadirkan kemampuan penyimpanan jauh lebih padat dibandingkan NAND pendahulunya. Peningkatan kecepatan I/O hingga 1,5 kali lipat serta pengurangan energi transfer lebih dari 25 persen memperlihatkan potensi manfaat. Perusahaan merencanakan perluasan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga hasil penerapan komersial masih perlu ditunggu. Bagi pengguna komputer, inovasi ini memberikan gambaran masa depan SSD. Bagaimana pendapat Anda, apakah efisiensi energi media penyimpanan akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada masa depan industri digital?
